Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4542DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
SI4542DY-T1-GE3 Hakkında
SI4542DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N ve P-channel MOSFET dizisidir. 30V Drain-Source voltaj desteği ve 8-SOIC yüzey montajlı paket ile kompakt uygulamalara uyumludur. Logic level gate özelliğine sahip bu transistör, 10V gate geriliminde 25mOhm on-resistance ile düşük kayıplar sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve dijital kontrol sistemlerinde kullanıldığı endüstride yaygın olarak tercih edilen bir komponenttir. Maximum 2W güç kapasitesi ile sınırlı olan bu bileşen, mühendisliğin düşük güçlü anahtarlama gereksinimlerinde yer alır. Not: Üretim durdurulmuş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok