Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4539ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
SI4539ADY-T1-GE3 Hakkında
SI4539ADY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual MOSFET transistördür. N-channel ve P-channel transistörleri tek pakette içeren bu komponent, 30V drain-source gerilimi ve 4.4A (N-ch) / 3.7A (P-ch) sürekli drain akımı ile çalışır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 10V gate geriliminde 20nC gate charge değerine sahiptir. 36mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimalize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu komponent, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve gerilim regülatörlerinde kullanılır. 8-SOIC paketinde surface mount uygulamaları için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A, 3.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 5.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok