Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4532DY
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- SI4532
SI4532DY Hakkında
SI4532DY, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N ve P-Channel Power MOSFET dizisidir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu komponent, 30V Drain-Source voltajında ve 3.9A/3.5A sürekli drain akımında çalışır. 65mOhm on-resistance ile düşük kayıp uygulamalar için uygun olan SI4532DY, anahtarlama devrelerinde, güç yönetiminde ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, 900mW maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 15nC gate charge ve 235pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A, 3.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok