Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4532DY
MOSFET N/P-CH 30V 3.9/3.5A 8SOIC
SI4532DY Hakkında
SI4532DY, onsemi tarafından üretilen dual N ve P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj derecelemesine sahip bu bileşen, 3.9A (N-Channel) ve 3.5A (P-Channel) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile sunulan SI4532DY, 65mOhm RDS(on) değeri ve 15nC gate charge ile düşük voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve bilgisayar donanımı uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 900mW güç tüketimine sahip komponent, verimli ve kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A, 3.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok