Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4532CDY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC
SI4532CDY-T1-GE3 Hakkında
SI4532CDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel ve P-Channel MOSFET transistörü dizisidir. 30V drain-source gerilim yeteneğine sahip bu bileşen, 6A sürekli dren akımı sağlar ve 2.78W maksimum güç değerini destekler. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan SI4532CDY, 47mOhm (10V, 3.5A) gate-source direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. Gate yükü 9nC olup, giriş kapasitansi 305pF'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörleri ve motor sürücü tasarımlarında kullanılır. Aktif durumdaki ürün, düşük Rds(on) değeri nedeniyle verimli anahtarlama işlemleri gerektiğinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A, 4.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 305pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.78W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok