Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI4532ADY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4532ADY

SI4532ADY-T1-GE3 Hakkında

SI4532ADY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 8-SOIC paket içinde sunulan çift kanallı (N ve P-Channel) MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source gerilim yeteneği ile 3.7A ve 3A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gate gerilimi ile tetiklenebilir ve 1V @ 250µA eşik geriliminde çalışır. 53mOhm RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. Surface mount tipi olarak PCB'lere direkt monte edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve sinyal kontrolü için kullanılır. Not: Bu bileşen kullanım dışı (Obsolete) konumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 1.13W, 1.2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 4.9A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok