Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4511DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
SI4511DY-T1-GE3 Hakkında
SI4511DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N ve P-Channel MOSFET transistör dizisidir. 20V drain-source gerilimi ve 7.2A (N-channel) / 4.6A (P-channel) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük gate gerilimi gerektiren uygulamalarda kullanılır. 1.8V maksimum threshold gerilimi ile hızlı anahtarlama yapabilir. 14.5mOhm RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulur ve güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve analog anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Ürün obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A, 4.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 9.6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok