Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4511DY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
SI4511DY-T1-E3 Hakkında
SI4511DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N ve P-channel MOSFET dizisi bileşenidir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu entegre devre, 20V Drain-Source gerilimi ve 7.2A (N-channel), 4.6A (P-channel) sürekli drain akımı kapasitesiyle çalışır. Logic level gate özelliğine sahip olan bileşen, 10V ve 9.6A koşullarında 14.5mΩ on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 1.8V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Bileşen üretimi sona ermiş olup (obsolete), yerini daha yeni versiyonlar almıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A, 4.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 9.6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok