Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4501BDY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
SI4501BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4501BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen çift kanal MOSFET transistör dizisidir. N-Channel ve P-Channel FET'leri aynı pakette barındıran bu komponent, logic level gate kontrolüne sahiptir. 30V drain-source gerilimi ve 8A/12A sürekli drain akımı kapasitesi ile çeşitli anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile PCB tasarımında yerden tasarruf sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, LED sürücüleri, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve dijital lojik arabirimleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A, 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 8V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel, Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 805pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 4.5W, 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok