Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4501ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
SI4501ADY-T1-GE3 Hakkında
SI4501ADY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen çift kanal MOSFET transistör dizisidir. N-channel ve P-channel kanalları Common Drain konfigürasyonunda sunmuş olup, Logic Level Gate özelliğine sahiptir. N-channel için 30V, P-channel için 8V dren-kaynak geriliminde çalışır. Maksimum dren akımı N-channel'de 6.3A, P-channel'de 4.1A olarak belirtilmiştir. RDS(on) değeri 18mOhm'dur (8.8A, 10V koşullarında). Düşük gate charge (20nC @ 5V) sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 1.3W maksimum güç tüketimiyle ve geniş işletim sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir performans sağlar. Surface Mount 8-SOIC paket tipindedir. Endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Not: Bu ürün üretimden kaldırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A, 4.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 8V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel, Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 8.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok