Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4501ADY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
SI4501ADY-T1-E3 Hakkında
SI4501ADY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N ve P-channel MOSFET dizisidir. Common Drain konfigürasyonunda tasarlanmış olan bu entegre, 30V (N-channel) ve 8V (P-channel) drain-source gerilimi ile çalışır. 6.3A ve 4.1A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük sinyal seviyeleriyle kontrol edilebilir. 8-SOIC yüzey monte paketi ile sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük 18mOhm on-resistance (10V, 10A koşullarında) değeri ile anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Söndürme (gate charge) 20nC olup hızlı komütasyon gerektiren tasarımlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A, 4.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 8V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel, Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 8.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok