Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4500BDY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
SI4500BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4500BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual MOSFET entegresidir. N ve P-kanal transistörleri ortak drain konfigürasyonunda içerir. 20V drain-source voltaj derecesi ile tasarlanmış olup, N-kanaldaki maksimum 6.6A ve P-kanaldaki 3.8A kontinü drain akımı sağlar. Logic level gate girişi ile düşük gerilim uygulamalarında kullanılabilir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulur. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, sürücü devreler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. 20mOhm (@ 9.1A, 4.5V) düşük RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. Maksimum 1.3W güç dağıtımı kapasitesidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A, 3.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel, Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 9.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok