Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4500BDY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
SI4500BDY-T1-E3 Hakkında
SI4500BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N ve P-channel ortak drenaj (common drain) MOSFET transistör dizisidir. 20V Vdss ve 6.6A (N-channel) / 3.8A (P-channel) sürekli drenaj akımına sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük kontrol voltajlarında (1.5V eşik voltajı) çalışabilmektedir. 8-SOIC yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, düşük 20mOhm on-resistance değeriyle anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, sürücü devrelerde ve dijital lojik kontrol edilen güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Maksimum gate charge değeri 17nC olup hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A, 3.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel, Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 9.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok