Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4388DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
SI4388DY-T1-GE3 Hakkında
SI4388DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel (Half Bridge) MOSFET dizisidir. 30V Vdss, 10.7A sürekli dren akımı ve 16mOhm Rds(on) değerleriyle, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarına uyguntur. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Not: Bu ürün EOL (End of Life) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.7A, 11.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 946pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.3W, 3.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok