Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4388DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
SI4388DY-T1-E3 Hakkında
SI4388DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörü olup Half Bridge yapısında tasarlanmıştır. 30V drain-source voltaj (Vdss) ile 10.7A sürekli drenaj akımı (Id) sağlayan bu transistör, 16mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı özelliktedir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 27nC gate charge ve 946pF input kapasitans değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Motor kontrol, güç yönetimi, LED aydınlatması ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.7A, 11.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 946pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.3W, 3.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok