Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4330DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC
SI4330DY-T1-E3 Hakkında
SI4330DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 30V Drain-Source gerilimi ve 6.6A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olması, düşük sürücü voltajlarıyla çalışabilmesini sağlar. 16.5mOhm maksimum on-state direnci ile verimli anahtarlama performansı sunar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, PWM kontrolü, güç yönetimi, motor denetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 8.7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok