Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4288DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
SI4288DY-T1-GE3 Hakkında
SI4288DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 9.2A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olması, düşük voltajlı kontrol devrelerinin doğrudan sürülmesini sağlar. 20mOhm on-resistance değeri ile enerji kaybı minimize edilir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok