Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4286DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
SI4286DY-T1-GE3 Hakkında
SI4286DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 40V drain-source voltaj ve 7A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 32.5mOhm on-resistance değeriyle verimli anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan komponent, düşük gate charge (10.5nC @ 10V) ve minimize edilmiş input capacitance (375pF @ 20V) özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama kaynakları ve genel DC/DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Ürün durumu Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 375pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.9W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32.5mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok