Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4276DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
SI4276DY-T1-GE3 Hakkında
SI4276DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği ile düşük gate sürüş geriliminde çalışabilir. 15.3mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Üretim durumu kullanım dışı (obsolete) olarak güncellenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.6W, 2.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.3mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok