Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4230DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
SI4230DY-T1-GE3 Hakkında
SI4230DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 8A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrolü gerektiren sistemlerde tercih edilir. 20.5mOhm on-state direnci ve 25nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Ürün üretimi sonlandırılmış (obsolete) olup, alternatif bileşenler tercih edilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.5mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok