Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4226DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
SI4226DY-T1-GE3 Hakkında
SI4226DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET dizisidir. 25V drain-source voltajında 8A sürekli dren akımı ile çalışabilen bu bileşen, 3.2W maksimum güç tüketimine sahiptir. 19.5mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahip tasarlanmıştır. Gate charge 36nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu MOSFET, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Not: Bu ürün obsolete (kullanım dışı) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1255pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok