Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4226DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
SI4226DY-T1-E3 Hakkında
SI4226DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 25V Drain-Source voltaj ve 8A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. RDS(on) değeri 4.5V gate voltajında 19.5mΩ olup, düşük hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 36nC gate charge ve 1255pF input capacitance değerlerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan SI4226DY, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücü kontrol, motor sürücüsü ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Lojistik açıdan kullanım dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1255pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok