Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4214DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
SI4214DY-T1-GE3 Hakkında
SI4214DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 8.5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 23.5mOhm'luk düşük Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, power management, LED sürücüleri ve dijital lojik seviyeleme gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 23nC gate charge ve 785pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23.5mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok