Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4214DDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
SI4214DDY-T1-GE3 Hakkında
SI4214DDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 8.5A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paket içerisinde iki N-channel transistör bulunmaktadır. 19.5mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetiminde ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. Gate eşik gerilimi 2.5V olup, hızlı anahtarlama ve düşük güç tüketimi sağlayan bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok