Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI4214DDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4214DDY

SI4214DDY-T1-E3 Hakkında

SI4214DDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 8.5A sürekli drain akımı ile orta güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltajlı kontrol devreleriyle doğrudan uyumludur. 19.5mOhm düşük RDS(on) değeri ile minimal enerji kaybı sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC konvertörler ve solenoid sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, yüksek güvenilirlik gerektiren endüstriyel sistemlerde de kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 3.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.5mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok