Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4210DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
SI4210DY-T1-GE3 Hakkında
SI4210DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 6.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 35.5mOhm drain-source on-direnci ve 2.5V gate-source eşik gerilimi ile verimli performans sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Ürün yaşlanmış (obsolete) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 445pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.7W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35.5mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok