Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4204DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
SI4204DY-T1-GE3 Hakkında
SI4204DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 19.8A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılan bir FET bileşenidir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. 4.6mOhm (10A, 10V koşullarında) düşük on-state direnci sayesinde anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol sistemlerinde ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2110pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok