Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4202DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO
SI4202DY-T1-GE3 Hakkında
SI4202DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 12.1A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği ile düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 14mOhm on-state direnç (RDS On) ile iletim kayıplarını minimize eder. Surface mount 8-SOIC paket ile kompakt tasarımlara uygun hale gelir. Motor kontrol, anahtarlama kaynakları, güç dönüştürücüleri ve diğer güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.7W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok