Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4200DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
SI4200DY-T1-GE3 Hakkında
SI4200DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 25V drain-source gerilim ve 8A sürekli dren akımı ile çalışabilen bu bileşen, Logic Level Gate özelliğine sahiptir ve 10V gate geriliminde 12nC gate charge değerine ulaşır. RDS(on) değeri 10V ve 7.3A'da 25mOhm olup, düşük iletim kayıpları sağlar. 8-SOIC yüzey montajı paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri, hızlı anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Logic level gating özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleriyle doğrudan çalıştırılabilir. Ürün şu anda Obsolete (üretilmiyor) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 415pF @ 13V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok