Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3993DV-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3993DV
SI3993DV-T1-GE3 Hakkında
SI3993DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 1.8A sürekli drain akımı özelliğine sahip olan bu bileşen, logic level gate kontrolüne uyumludur. Maksimum 133mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 5nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Surface mount 6-TSOP (SOT-23-6) paketinde sunulan ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu komponent, güç yönetimi, anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrolü ve analog switch uygulamalarında kullanılır. 830mW maksimum güç dağıtma kapasitesiyle tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 133mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok