Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI3993CDV-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3993CDV

SI3993CDV-T1-GE3 Hakkında

SI3993CDV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source voltajı ile 2.9A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, SOT-23-6 SMD paketinde sunulmaktadır. 111mOhm on-state direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Hızlı anahtarlama özelliğine sahip (8nC gate charge) ve düşük giriş kapasitanslı tasarımı (210pF) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli performans sunar. Pil yönetimi, analog anahtarlar, motor kontrol ve güç yönetimi gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power - Max 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 111mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok