Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3983DV-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3983DV
SI3983DV-T1-GE3 Hakkında
SI3983DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 2.1A kontinü dren akımı (Id) ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük giriş gerilimi seviyelerinde çalışabilir. 110mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç transferi sağlar. Surface mount 6-TSOP (SOT-23-6) paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında güvenli şekilde çalışır. Maksimum 830mW güç tüketimi ile tasarım esnekliği sunar. Endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, LED sürücüleri ve batarya uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok