Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3983DV-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3983DV
SI3983DV-T1-E3 Hakkında
SI3983DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 2.1A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük kontrol gerilimi ile çalışabilir. 110mOhm RDS(on) değeri ile minimize edilmiş power dissipation sağlar. Surface mount SOT-23-6 paketinde sunulan bu komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenli şekilde kullanılabilir. Analog switch uygulamaları, güç yönetimi devreleri, battery management systems ve sinyal anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 7.5nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok