Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3981DV-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3981DV
SI3981DV-T1-GE3 Hakkında
SI3981DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörüdür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source geriliminde 1.6A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 6-TSOP (SOT-23-6) yüzey montaj paketinde sunulan SI3981DV, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve dijital kontrol edilen analog anahtarlamada kullanılır. 1.6A akım işleme kapasitesi ve 185mOhm on-direnç (Rds-On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, taşınabilir cihazlar, batarya yönetimi sistemleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 800mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 1.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok