Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3948DV-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3948DV
SI3948DV-T1-E3 Hakkında
SI3948DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ile tasarlanan bu bileşen, logic level gate özelliğine sahip olup 10V ve 2.5A koşullarında 105mOhm düşük on-resistance karakteristiğine sahiptir. Gate charge değeri 5V'de 3.2nC olarak belirtilmiştir. Surface mount teknolojisi ile SOT-23-6 (TSOT-23-6) paketinde sunulan SI3948DV, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 1.15W maksimum güç seviyeleri ile bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetim uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.15W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok