Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3932DV-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3932DV
SI3932DV-T1-GE3 Hakkında
SI3932DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajına ve 3.7A sürekli drain akımına sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük sürücü voltajlarında çalışabilir. 58mOhm (10V, 3.4A'de) düşük gate-source direnci sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 6nC gate yükü ve 235pF giriş kapasitansı ile minimal enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. SOT-23-6 yüzeye montajlı paket içinde iki adet N-Channel transistör bulunur. Motor sürücüleri, güç anahtarlaması, DC-DC dönüştürücüler ve yük yönetimi uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok