Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3911DV-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3911DV
SI3911DV-T1-E3 Hakkında
SI3911DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source voltaj desteği ve 1.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi, anahtarlama ve sinyal kontrol uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği ile düşük voltaj lojik devrelerinden direkt olarak kontrol edilebilir. 145mOhm RDS(on) değeri ile minimum güç kaybı sağlar. SOT-23-6 SMD paketinde sunulan bu bileşen, portatif cihazlar, batarya yönetim sistemleri, DC-DC dönüştürücüler ve sinyal anahtarlama devreleri gibi düşük güç uygulamalarında tercih edilir. 830mW maksimum güç dağıtım kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok