Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3909DV-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3909DV
SI3909DV-T1-E3 Hakkında
SI3909DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörlü bir dizi bileşenidir. 20V drain-source gerilim sınırlaması ile çalışan bu komponent, logic level gate özelliğine sahiptir ve 4.5V besleme geriliminde 1.8A akıma kadar çalışabilir. 200mOhm on-state direnci ile düşük güç kayıpları sağlar. SOT-23-6 paketinde sunulan bileşen, yükseltici devreler, anahtarlama uygulamaları ve analog sinyal anahtarlama gibi alanlarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. 1.15W maksimum güç tüketimi ile güç yönetimi kritik olan tasarımlara uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.15W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 500mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok