Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3905DV-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3905DV
SI3905DV-T1-GE3 Hakkında
SI3905DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistör dizisidir. 8V Drain-Source gerilimi ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliği sayesinde 4.5V ile kontrol edilebilir, 6nC gate charge ve 125mOhm RDS(on) değerleriyle anahtarlama işlemlerinde verimli çalışır. SOT-23-6 (TSOT-23-6) yüzey montajlı paketidir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük voltajlı anahtarlama devreleri, güç yönetimi, load switching ve sinyal anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.15W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok