Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3905DV-T1-E3
MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3905DV
SI3905DV-T1-E3 Hakkında
SI3905DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörüdür. 8V drain to source gerilim (Vdss) ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 125mOhm düşük Rds(on) değerine ve 6nC gate charge karakteristiğine sahiptir. Surface mount SOT-23-6 paketinde sunulan SI3905DV, -55°C ile 150°C arasındaki sıcaklık aralığında çalışır ve maksimum 1.15W güç tüketimi için tasarlanmıştır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, load switching ve motor kontrol devrelerinde tercih edilir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.15W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok