Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3900DV-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3900DV
SI3900DV-T1-GE3 Hakkında
SI3900DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 2A sürekli akım kapasitesi ile çalışabilen bu bileşen, logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol devrelerinde kullanılabilir. 125mΩ (4.5V, 2.4A'da) düşük RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-6 yüzey montajlı paket türünde sunulan SI3900DV, endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilen bu bileşen, 830mW maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok