Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3900DV-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3900DV
SI3900DV-T1-E3 Hakkında
SI3900DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 20V Drain-Source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği ile 4.5V gate geriliminde çalışabilir. 125mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli performans sağlar. 4nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. SOT-23-6 paketinde surface mount olarak tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Güç yönetimi, LED sürücüleri, motor kontrolü ve genel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok