Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI3850ADV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3850ADV

SI3850ADV-T1-GE3 Hakkında

SI3850ADV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel ve P-Channel MOSFET transistörlerden oluşan bir dizi transistördür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu komponent, 20V drain-source voltajı ve 1.4A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 6-TSOP (SOT-23-6) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör dizisi, düşük on-resistance değeri (300mOhm @ 4.5V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında ve sinyal kontrol devrelerinde kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda tercih edilir. Kompakt paketlemesi ve düşük güç tüketimi özellikleri ile tüketici elektroniği ve otomotiv uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A, 960mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel, Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power - Max 1.08W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok