Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3850ADV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3850ADV
SI3850ADV-T1-E3 Hakkında
SI3850ADV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N ve P-Channel MOSFET transistör dizisidir. 20V Drain-Source gerilimi ve 1.4A sürekli dren akımı ile tasarlanmış bu komponent, logic level gate özelliğine sahip olup düşük gate şarjı (1.4nC) ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştir. 300mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu SMD bileşen, mobil cihazlar, güç yönetimi devreler, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A, 960mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel, Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.08W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok