Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3590DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3590DV
SI3590DV-T1-GE3 Hakkında
SI3590DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual kanal MOSFET transistördür. N-channel ve P-channel kanalları bir pakette sunarak çift fonksiyonlu uygulamalar için tasarlanmıştır. 30V drain-source gerilimi ve 2.5A (N-channel), 1.7A (P-channel) sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında çalışabilir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük sinyal seviyeleriyle tetiklenebilir. 77mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde gelen bu transistör, anahtarlama devreleri, dc-dc konvertörleri, motor kontrol ve genel amaçlı dijital lojik uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A, 1.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok