Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3590DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3590DV
SI3590DV-T1-E3 Hakkında
SI3590DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen çift kanallı (N-channel ve P-channel) MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source geriliminde, 2.5A (N-channel) ve 1.7A (P-channel) sürekli akım kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük kontrolcu gerilimlerinde çalışabilir. SOT-23-6 (TSOT-23-6) yüzey montajlı paketinde sunulur. 4.5nC gate charge ve 77mOhm RDS(on) değerleriyle anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve kontrol elektronikleri tasarımlarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve maksimum 830mW güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A, 1.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok