Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3588DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3588DV
SI3588DV-T1-GE3 Hakkında
SI3588DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen çift kanal MOSFET transistörüdür. N-channel ve P-channel FET'leri tek pakette birleştiren bu bileşen, 20V drain-source geriliminde 2.5A (N-channel) ve 570mA (P-channel) sürekli akım kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük kontrol voltajları ile çalışabilir. 6-TSOP/SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve entegre devre sürücü uygulamalarında kullanılır. Düşük on-resistance (80mOhm) ve kompakt yapısı sayesinde yüksek entegrasyon gerektiren tasarımlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A, 570mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830mW, 83mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok