Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3586DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3586DV
SI3586DV-T1-E3 Hakkında
SI3586DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual MOSFET transistörüdür. N-channel ve P-channel MOSFET'leri aynı paket içinde barındıran bu komponent, 20V drain-source gerilimi ile çalışır ve maksimum 2.9A (N-channel) ile 2.1A (P-channel) drain akımı sağlayabilir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim sinyal kontrolü ile çalışabilir. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, komplementer yapılar, inverter devreleri ve kaynak/lehim işlemlerine uygun entegre çözümler için kullanılır. Maksimum 60mOhm on-resistance değeri ile güç kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu komponent, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A, 2.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok