Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3585DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3585DV
SI3585DV-T1-GE3 Hakkında
SI3585DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual MOSFET transistör dizisidir. N-channel ve P-channel kanalları bir pakette bulunan bu bileşen, 20V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile çalışır. Logic level gate özelliğine sahip olması, düşük gerilim kontrol sinyalleri ile uyumlu çalışmasını sağlar. 125mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sunar. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey monte paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışır. Gate yükü 3.2nC olup maksimum 830mW güç tüketebilir. Anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve IoT uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A, 1.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok