Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3585DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3585DV
SI3585DV-T1-E3 Hakkında
SI3585DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi ile 2A ve 1.5A sürekli dren akımına sahiptir. Logic Level Gate özelliği ile düşük gerilim kontrolü sağlar. 125mOhm maksimum on-state direnç (Rds On) değeri ile verimli güç iletimi gerçekleştirir. 3.2nC kapı yükü (Gate Charge) ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. SOT-23-6 yüksek kompakt paketlemesi sayesinde uydu haberleşme, endüstriyel kontrol, mobil cihazlar ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 830mW maksimum güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A, 1.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok